PhysTech在1990年推出了第一台数字DLTS，随着电脑技术的发展，使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上，用各种数学模型分析测量到的瞬态过程，如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS（等温瞬态光谱）信号重叠法、温度扫描信号重叠法（重折叠）。与其他系统相比，HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率。
半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。
特点：
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自动接触检查
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常规测试和加强软件
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自动电容补偿
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三终端FET电流瞬态测量
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大电容和浓度范围
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灵活性高、模块化硬件
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支持各种冷却仓和温度控制器
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傅里叶转换（F-DLTS），比例窗口和用户自定义校正功能
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DLTFS（深层瞬态傅里叶光谱仪）评价
操作模式：
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C-DLTS
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CC-DLTS
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I-DLTS
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DD-DLTS
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Zerbst-DLTS
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O-DLTS
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FET-Analysis
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MOS-Analysis
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ITS（等温瞬态光谱仪）
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缺陷分析
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俘获截面测量
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I/V, I/V(T)理查森标绘图
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C/V, C/V(T)
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TSC/TSCAP
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PITS（光子诱导瞬态谱）
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DLOS(特殊系统)
规格：
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分辨率： |
1*108 atoms/cm3 |
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脉冲发生器 |
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| 电压范围： | ±20.4V（±102opt.） |
| 电压分辨率: | 0．625mV |
| 最大电流: | ＞±15mA |
| 脉冲宽度: | 1μs-1000s |
| 快速脉冲选配 |
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| 电容表 | |
| HF信号: | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
| 范围[pF]: | 3,30,300,3000(自动或手动) |
| 电容补偿: | 0.1-3000 pF（自动或手动） |
| 灵敏度: | 0.01 fF |
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| 电压测量 |
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| 范围: | ±10V |
| 灵敏度: | ＜1μV |
| 输入电阻: | 106Ohm |
| 可提供偏压补偿: |
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电流测试 |
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范围: |
5，从±1μA 到±10mA |
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灵敏度: |
＜1pA |
| 可提供漏电保护 |
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| 瞬态记录 | |
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样品速率: |
2μs到2000s |
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样品数量: |
16-16384（opt.64k） |
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可调节抗失真滤膜 |
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| 标准冷却仓 | |
| 温度范围: | 15K-450K或77K~800K |
| 温度扫描方式： | 使用28个不同的相关功能（软件）通过一次温度扫描，给出28个温度扫描信号。 |
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| 典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV） | |
| 灵敏度: |
10-7 |
| 能量精度: | HT+/-3% |
| 能量分辨率: | 10meV |
| 发射率: |
10-3/s |
Options
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Constant Capacitance
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Optical Excitation
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Fast Pulse Interface
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±100 V Option
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Multi Sample Interface
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